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DI040P04D1-AQ-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）具备40V漏源击穿电压，支持50A连续漏极电流，导通电阻低至10毫欧。其低阻抗特性有效降低导通损耗，提升电源转换效率。适用于笔记本电脑主板供电、电池保护电路及便携式设备负载开关等场景，满足高电流密度与紧凑空间的设计需求，确保系统在动态负载下的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI040P04D1-AQ-HXY
商品编号: C54582542
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

DI040P04D1 - AQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。