温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD50N04S309ATMA1-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管具备40V漏源击穿电压，连续漏极电流达60A，导通电阻典型值为7.7毫欧。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。器件在高频切换下保持高效能，适合对热管理有严格要求的紧凑型电子设备设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50N04S309ATMA1-HXY
商品编号: C54582543
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4125克(g)

商品参数

IPD50N04S309ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。