IPD50N04S309ATMA1-HXY
IPD50N04S309ATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备40V漏源击穿电压，连续漏极电流达60A，导通电阻典型值为7.7毫欧。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。器件在高频切换下保持高效能，适合对热管理有严格要求的紧凑型电子设备设计。
- 商品型号
- IPD50N04S309ATMA1-HXY
- 商品编号
- C54582543
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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