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IRFR3504ZTRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备40V漏源击穿电压，连续漏极电流达60A，导通电阻仅为7.7毫欧。低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异，适用于服务器电源模块、高性能电池管理系统及大功率直流转换设备。其参数设计聚焦于提升能效与热管理表现，满足高频率开关操作下的稳定性需求，为精密电子负载提供可靠的功率控制解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3504ZTRPBF-HXY
商品编号: C54582544
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.41克(g)

商品参数

IRFR3504ZTRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。