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NVD5C478NT4G-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏源电压为40V，连续漏极电流达60A，导通电阻典型值为7.7毫欧。低导通阻抗有效降低大电流下的功率损耗与温升，适用于服务器电源、高性能电池组管理及大功率直流变换器。其参数特性支持高频开关操作，能够在精密电子负载中提供稳定的功率切换与能效控制，满足对热性能和电气稳定性有严格要求的应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVD5C478NT4G-HXY
商品编号: C54582545
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4175克(g)

商品参数

NVD5C478NT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。