温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STD55N4F5-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流60A，漏源击穿电压40V，导通电阻7.7毫欧。器件凭借低内阻特性，在大电流工况下显著降低传导损耗与温升，提升系统能效。适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率直流负载开关，能够在紧凑封装内提供卓越的电流处理能力，满足高端电子设备对功率密度与热管理的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD55N4F5-HXY
商品编号: C54582546
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

STD55N4F5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。