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DMPH4013SK3Q-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为50A，漏源击穿电压达40V，导通电阻低至10mΩ。其低导通损耗特性适用于高效率电源管理模块、电池保护电路及负载开关设计。在直流电机驱动与便携式设备供电系统中，该器件能实现快速开关响应与稳定电流控制，满足紧凑空间内的热管理需求，广泛服务于消费电子与通信基础设施领域。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH4013SK3Q-13-HXY
商品编号: C54582540
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

DMPH4013SK3Q - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。