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DMPH4015SK3-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为80A，漏源击穿电压40V，导通电阻典型值7.3毫欧。器件凭借低导通阻抗特性，有效降低大电流下的功率损耗与温升。其参数设计适用于高负载切换场景，常用于电池管理系统、直流电机驱动及便携式设备电源模块，满足复杂电路对高效能与稳定性的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH4015SK3-13-HXY
商品编号: C54582541
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

DMPH4015SK3 - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。