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IPD50N04S408ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备60A连续漏极电流承载能力，漏源击穿电压为40V，导通电阻低至7.7mΩ。极低的内阻特性显著降低了导通损耗与发热量，适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。在高负载切换场景中，它能提供高效的电能传输与控制，确保系统在紧凑空间内维持稳定的热性能与电气可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50N04S408ATMA1-HXY
商品编号: C54582538
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.40625克(g)

商品参数

IPD50N04S408ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。