立创商城logo
购物车0
DMP4015SK3-13-HXY实物图
  • DMP4015SK3-13-HXY商品缩略图
  • DMP4015SK3-13-HXY商品缩略图
  • DMP4015SK3-13-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP4015SK3-13-HXY

DMP4015SK3-13-HXY

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
该P沟道场效应管(MOSFET)漏源击穿电压为40V,支持80A连续漏极电流,导通电阻典型值为7.3mΩ。低阻抗设计显著降低导通损耗,优化热管理性能。适用于高电流电池保护模块、便携式设备电源开关及直流负载切换电路,在紧凑空间内实现高效反向极性防护与稳定通断控制,满足大电流应用场景需求。
商品型号
DMP4015SK3-13-HXY
商品编号
C54582534
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.404克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)81W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)5.295nF
反向传输电容(Crss)385pF
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)430pF

商品概述

DMP4015SK3 - 13采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装类型为TO - 252 - 2L。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = - 40V,漏极电流(ID) = - 80A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 8.2mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF