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DMP4015SK3Q-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为80A，漏源击穿电压40V，导通电阻仅7.3毫欧。凭借低导通损耗特性，适用于高效率电源管理、电池保护电路及负载开关应用。其优异的电流承载能力支持紧凑化设计，广泛用于消费电子、通信设备及便携式仪器的功率控制环节，满足对空间与能效有严格要求的电路需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMP4015SK3Q-13-HXY
商品编号: C54582535
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

DMP4015SK3Q - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。