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IPD50P04P4L11ATMA2-HXY

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描述: 该P沟道场效应管额定漏极电流80A，漏源击穿电压40V，导通电阻7.3毫欧。低导通电阻特性有助于降低通路损耗，提升电源转换效率。器件适用于笔记本电脑主板供电、电池组保护模块及手持设备电源管理电路。在负载开关与极性保护应用中，其高电流承载能力支持紧凑布局，满足消费电子与通信终端对功率密度和热性能的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50P04P4L11ATMA2-HXY
商品编号: C54582536
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

IPD50P04P4L11ATMA2采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。