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SUD50P04-08-GE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为40V，支持80A连续漏极电流，导通电阻典型值为7.3mΩ。低导通阻抗显著降低功率损耗与温升，适用于高电流电池保护、负载开关及直流电源管理电路。在便携式设备与消费电子供电架构中，该器件能实现高效电流切换与稳定功率传输，满足紧凑设计对热性能及空间利用的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD50P04-08-GE3-HXY
商品编号: C54582533
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404255克(g)

商品参数

SUD50P04 - 08 - GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。