SUD50P04-08-GE3-HXY
SUD50P04-08-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为40V，支持80A连续漏极电流，导通电阻典型值为7.3mΩ。低导通阻抗显著降低功率损耗与温升，适用于高电流电池保护、负载开关及直流电源管理电路。在便携式设备与消费电子供电架构中，该器件能实现高效电流切换与稳定功率传输，满足紧凑设计对热性能及空间利用的严格要求。
- 商品型号
- SUD50P04-08-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582533
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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