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SQD40131EL_GE3-HXY

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描述: 这款P沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为40V，连续漏极电流达50A，导通电阻仅为10mΩ。其低阻抗特性有效降低了导通损耗与发热，适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。该器件在便携式设备及消费电子供电方案中，能够实现高效的电流控制与稳定的功率切换，满足紧凑空间下的性能需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQD40131EL_GE3-HXY
商品编号: C54582532
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.397959克(g)

商品参数

SQD40131EL_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。