SQD40131EL_GE3-HXY
SQD40131EL_GE3-HXY
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为40V，连续漏极电流达50A，导通电阻仅为10mΩ。其低阻抗特性有效降低了导通损耗与发热，适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。该器件在便携式设备及消费电子供电方案中，能够实现高效的电流控制与稳定的功率切换，满足紧凑空间下的性能需求。
- 商品型号
- SQD40131EL_GE3-HXY
- 商品编号
- C54582532
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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