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IPA65R099C6XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备。其宽VGS范围增强了与不同驱动电路的兼容性，同时支持在较高结温下稳定运行。
- 商品型号
- IPA65R099C6XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134097
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
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