STF21N65M5-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于各类高电压、中等电流的电源管理与能量转换应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF21N65M5-HXY

商品编号

C53134104

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)