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R6504KND3TL1-HXY
R6504KND3TL1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。
- 商品型号
- R6504KND3TL1-HXY
- 商品编号
- C53134113
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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