R6504KND3TL1-HXY

R6504KND3TL1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6504KND3TL1-HXY

商品编号

C53134113

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)