STF28N65M2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定工作，满足多种电力电子系统对高性能开关器件的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF28N65M2-HXY

商品编号

C53134107

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)