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NTBG060N065SC1-HXY
NTBG060N065SC1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备优异的开关速度和高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频开关电源等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定性能。
- 商品型号
- NTBG060N065SC1-HXY
- 商品编号
- C53134128
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
参数完善中
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