STL38N65M5-HXY
STL38N65M5-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID为37A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDS(ON)为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,可在高开关频率下保持较低的热损耗,提升整体能效表现。
- 商品型号
- STL38N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134148
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
参数完善中
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