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STL38N65M5-HXY

Name: HXY MOSFET(华轩阳电子) STL38N65M5-HXY
Brand: HXY MOSFET(华轩阳电子)
SKU: C53134148
Price: 8.84 CNY
Availability: InStock

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

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描述: 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为37A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，可在高开关频率下保持较低的热损耗，提升整体能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL38N65M5-HXY
商品编号: C53134148
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.56克(g)

商品参数

降低开关损耗，提升系统开关频率，增加功率密度，减少散热器需求。