STF45N65M5-HXY

STF45N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温特性和开关性能，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF45N65M5-HXY

商品编号

C53134166

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)