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IXFP34N65X2M-HXY
IXFP34N65X2M-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中，能够在严苛工作条件下保持较低的开关损耗与导通损耗，提升整体能效表现。
- 商品型号
- IXFP34N65X2M-HXY
- 商品编号
- C53134159
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.99克(g)
商品参数
参数完善中