STW56N65M2-4-HXY

STW56N65M2-4-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率与功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STW56N65M2-4-HXY

商品编号

C53134160

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)