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IXFH60N65X2-4-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻和开关损耗等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频开关应用中可显著降低损耗，并提升系统整体效率。适用于对体积、散热及能效有较高要求的电源架构，可在高温或高电气应力条件下维持稳定运行。
- 商品型号
- IXFH60N65X2-4-HXY
- 商品编号
- C53134163
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ |