IXFH60N65X2-4-HXY

IXFH60N65X2-4-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频开关应用中可显著降低损耗，并提升系统整体效率。适用于对体积、散热及能效有较高要求的电源架构，可在高温或高电气应力条件下维持稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFH60N65X2-4-HXY

商品编号

C53134163

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)