温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IXSA60N65L2-7TR-HXY

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合对功率密度和热管理有较高要求的应用环境。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXSA60N65L2-7TR-HXY
商品编号: C53134165
商品封装: TO-263-7L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.8克(g)

商品参数

参数完善中