温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SPD04N60C3BTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流，漏源电压额定值为900V，导通电阻为712mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V，适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。凭借碳化硅材料的特性，器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。
- 商品型号
- SPD04N60C3BTMA1-HXY
- 商品编号
- C53134164
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |