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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SPD04N60C3BTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流，漏源电压额定值为900V，导通电阻为712mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V，适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。凭借碳化硅材料的特性，器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。
- 商品型号
- SPD04N60C3BTMA1-HXY
- 商品编号
- C53134164
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 712mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带碳化硅 MOSFET 技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 快速充电器
- 高压直流/直流转换器
- IXSA60N65L2-7TR-HXY
- STF45N65M5-HXY
- SFP-20PIN-15U
- SFP-1X1-CAGE
- SFP-2X1-CAGE
- XH2.54-2PZZ-MR
- XH2.54-3PZZ-MR
- XH2.54-4PZZ-MR
- XH2.54-5PZZ-MR
- XH2.54-6PZZ-MR
- XH2.54-2PWZ-MR
- XH2.54-3PWZ-MR
- XH2.54-4PWZ-MR
- XH2.54-5PWZ-MR
- XH2.54-6PWZ-MR
- XHB2.54-2PZZ-MR
- XHB2.54-3PZZ-MR
- XHB2.54-4PZZ-MR
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- XHB2.54-6PZZ-MR
- XHB2.54-2PWZ-MR