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NVH4L050N65S3F-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件结合碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了与不同驱动电路的适配能力，同时在高温或严苛电气环境中保持良好的稳定性与可靠性。
- 商品型号
- NVH4L050N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53134162
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
- SPD04N60C3BTMA1-HXY
- STF45N65M5-HXY
- SFP-20PIN-15U
- SFP-1X1-CAGE
- SFP-2X1-CAGE
- XH2.54-2PZZ-MR
- XH2.54-3PZZ-MR
- XH2.54-4PZZ-MR
- XH2.54-5PZZ-MR
- XH2.54-6PZZ-MR
- XH2.54-2PWZ-MR
- XH2.54-3PWZ-MR
- XH2.54-4PWZ-MR
- XH2.54-5PWZ-MR
- XH2.54-6PWZ-MR
- XHB2.54-2PZZ-MR
- XHB2.54-3PZZ-MR
- XHB2.54-4PZZ-MR
- XHB2.54-5PZZ-MR
- XHB2.54-6PZZ-MR
- XHB2.54-2PWZ-MR