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NVH4L050N65S3F-HXY
NVH4L050N65S3F-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件结合碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了与不同驱动电路的适配能力，同时在高温或严苛电气环境中保持良好的稳定性与可靠性。
- 商品型号
- NVH4L050N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53134162
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中