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SCTWA35N65G2V-4-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统中的功率转换环节。
- 商品型号
- SCTWA35N65G2V-4-HXY
- 商品编号
- C53134161
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ |