SCTWA35N65G2V-4-HXY

SCTWA35N65G2V-4-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统中的功率转换环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SCTWA35N65G2V-4-HXY

商品编号

C53134161

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)