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IPA65R095C7XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等场景。
- 商品型号
- IPA65R095C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134157
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |