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FCPF099N65S3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有24A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为95mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，并具备良好的高温工作能力。适用于高效率电源系统、可再生能源转换设备以及对热管理与体积有较高要求的功率电子模块，有助于实现紧凑且高效的电路设计。
- 商品型号
- FCPF099N65S3-HXY
- 商品编号
- C53134158
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |