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IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用，有助于简化散热设计并提升系统整体效率。
- 商品型号
- IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53134150
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中