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STL34N65M5-HXY
STL34N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。
- 商品型号
- STL34N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134151
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
参数完善中