温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF42N65M5-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件依托碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，在高频开关应用中可实现高效能转换，适用于通信设备电源、光伏逆变系统以及高密度开关电源等对效率与体积有严苛要求的场合。
- 商品型号
- STF42N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134154
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |