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STF38N65M5-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，采用宽带隙技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料构建，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定电气性能。
- 商品型号
- STF38N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134156
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |