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STF38N65M5-HXY
STF38N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料构建，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定电气性能。
- 商品型号
- STF38N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134156
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
参数完善中