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STF34N65M5-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、电容和反向恢复，无卤且符合RoHs标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算电源管理等场景中可有效提升系统能效与功率密度。器件结构支持快速开关动作，有助于减小无源元件体积并优化整体布局。
- 商品型号
- STF34N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134152
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |