NTPF082N65S3F-HXY

NTPF082N65S3F-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达18A，导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电场强度与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF082N65S3F-HXY

商品编号

C53134155

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)