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NTPF082N65S3F-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达18A，导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电场强度与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。
- 商品型号
- NTPF082N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53134155
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@20V |
商品概述
该技术能够降低开关损耗，提升系统开关频率，增加功率密度，并减少散热器需求。
商品特性
- 宽带隙SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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