STF35N65DM2-HXY

STF35N65DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体系统能效与响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF35N65DM2-HXY

商品编号

C53134153

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)