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NTMT110N65S3HF-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景，能够在提升系统效率的同时减少散热需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMT110N65S3HF-HXY
商品编号: C53134149
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.55克(g)

商品参数

该器件采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，具备低导通电阻与高阻断电压、低电容与高速开关、低反向恢复电荷等特性，且不含卤素，符合RoHS标准。这些特性有助于降低开关损耗、提升系统开关频率、增加功率密度并减少散热器需求。器件采用DFN8X8B封装。