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NTMT110N65S3HF-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景，能够在提升系统效率的同时减少散热需求。
- 商品型号
- NTMT110N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C53134149
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |