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IPZ65R045C7XKSA1-HXY
IPZ65R045C7XKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能与开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时减少散热设计负担，适合用于高频、高效率的电力电子拓扑结构中。
- 商品型号
- IPZ65R045C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134138
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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