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SPD06N60C3BTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有8.6A的连续漏极电流与800V的漏源击穿电压，导通电阻为525mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现突出，可有效提升系统整体能效与可靠性。
- 商品型号
- SPD06N60C3BTMA1-HXY
- 商品编号
- C53134141
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 42.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 103pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 525mΩ@18V |
商品特性
- 宽带隙碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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