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IPL65R099C7AUMA1-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，在高效率电源系统、可再生能源转换装置以及高功率密度电力电子设备中可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效和系统响应速度。
- 商品型号
- IPL65R099C7AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53134144
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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