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FL06100G-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于高频率、高效率的电源管理及能量转换系统中。
- 商品型号
- FL06100G-HXY
- 商品编号
- C53134145
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@20V |
商品特性
- 宽带隙SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷(Qrr)
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
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- SPD04N60C3BTMA1-HXY
- STF45N65M5-HXY
- SFP-20PIN-15U
- SFP-1X1-CAGE
- SFP-2X1-CAGE
- XH2.54-2PZZ-MR
- XH2.54-3PZZ-MR
- XH2.54-4PZZ-MR
- XH2.54-5PZZ-MR
- XH2.54-6PZZ-MR
- XH2.54-2PWZ-MR