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SIHH100N65E-T1-GE3-HXY
SIHH100N65E-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通损耗和优异的热性能。适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- SIHH100N65E-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134147
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
参数完善中
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