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FCMT099N65S3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至94mΩ，可在栅源电压范围-10V至+25V内可靠运行。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备，有助于提升系统整体性能与可靠性。
- 商品型号
- FCMT099N65S3-HXY
- 商品编号
- C53134143
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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