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STW68N65DM6-4AG-HXY
STW68N65DM6-4AG-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能，同时具备较低的功率损耗和良好的热稳定性。适用于对效率、响应速度及紧凑布局有明确要求的电源转换与电力电子系统。
- 商品型号
- STW68N65DM6-4AG-HXY
- 商品编号
- C53134134
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ |
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