温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW68N65DM6-4AG-HXY
STW68N65DM6-4AG-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能，同时具备较低的功率损耗和良好的热稳定性。适用于对效率、响应速度及紧凑布局有明确要求的电源转换与电力电子系统。
- 商品型号
- STW68N65DM6-4AG-HXY
- 商品编号
- C53134134
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IPZA65R040CM8XKSA1-HXY
- FCH041N65EFLN4-HXY
- IPZA60R045P7XKSA1-HXY
- IPZ65R045C7XKSA1-HXY
- STW65N045M9-4-HXY
- STW69N65M5-4-HXY
- SPD06N60C3BTMA1-HXY
- IXTY4N65X2-TRL-HXY
- FCMT099N65S3-HXY
- IPL65R099C7AUMA1-HXY
- FL06100G-HXY
- FF06100G-HXY
- SIHH100N65E-T1-GE3-HXY
- STL38N65M5-HXY
- NTMT110N65S3HF-HXY
- IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
- STL34N65M5-HXY
- STF34N65M5-HXY
- STF35N65DM2-HXY
- STF42N65M5-HXY
- NTPF082N65S3F-HXY