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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G3F45MT06K-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- G3F45MT06K-HXY
- 商品编号
- C53134131
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带SiC MOSFET技术
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 高速开关下的低电容
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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