温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G3F45MT06K-HXY
G3F45MT06K-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- G3F45MT06K-HXY
- 商品编号
- C53134131
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 119pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IMZA65R060M2HXKSA1-HXY
- STW75N65DM6-4-HXY
- STW68N65DM6-4AG-HXY
- IPZA65R040CM8XKSA1-HXY
- FCH041N65EFLN4-HXY
- IPZA60R045P7XKSA1-HXY
- IPZ65R045C7XKSA1-HXY
- STW65N045M9-4-HXY
- STW69N65M5-4-HXY
- SPD06N60C3BTMA1-HXY
- IXTY4N65X2-TRL-HXY
- FCMT099N65S3-HXY
- IPL65R099C7AUMA1-HXY
- FL06100G-HXY
- FF06100G-HXY
- SIHH100N65E-T1-GE3-HXY
- STL38N65M5-HXY
- NTMT110N65S3HF-HXY
- IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
- STL34N65M5-HXY
- STF34N65M5-HXY