FCH041N65EFLN4-HXY

FCH041N65EFLN4-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的功率管理模块。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时有助于优化系统可靠性与热管理设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCH041N65EFLN4-HXY

商品编号

C53134136

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)