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NTT2023N065M3S-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有84A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTT2023N065M3S-HXY
商品编号: C53134119
商品封装: T2PAK
包装方式: 编带
商品毛重: 3.12克(g)

商品参数

采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，具备低导通电阻与高阻断电压、低电容实现高速开关、低反向恢复电荷等特性。该技术有助于降低开关损耗、提升系统开关频率、增加功率密度并减少散热器需求。产品符合无卤素与RoHS标准，采用T2PAK封装。