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IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流能力，650V的漏源击穿电压，导通电阻为36mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和散热有较高要求的电力电子装置。
- 商品型号
- IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C53134126
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
参数完善中
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