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IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容和高速开关特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流能力，650V的漏源击穿电压，导通电阻为36mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和散热有较高要求的电力电子装置。
- 商品型号
- IMBG65R048M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C53134126
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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