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UF3SC065040B7S-HXY
UF3SC065040B7S-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐压达650V，导通电阻为36mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子装置。其宽栅压范围提升了驱动电路的适配能力，同时有助于增强开关过程的稳定性与可靠性。
- 商品型号
- UF3SC065040B7S-HXY
- 商品编号
- C53134123
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
参数完善中
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