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NVT2023N065M3S-HXY
NVT2023N065M3S-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为84A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及大功率充电设备等场合，在提升系统效率的同时有助于减小整体体积与散热需求。
- 商品型号
- NVT2023N065M3S-HXY
- 商品编号
- C53134120
- 商品封装
- T2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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